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中國科學院半導體研究所半導體研究所半導體物理研究室駱軍委課題組招聘啟事

發(fā)布時間:2024-07-23 作者:高校人才引進網(wǎng)

人才引進工作地區(qū):北京

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中國科學院半導體研究所半導體物理研究室駱軍委團隊致力于“后摩爾時代”四族硅基發(fā)光材料與光源的理論與實驗研究工作,擬聘用崗位主要針對課題組提出的原創(chuàng)的硅基片上發(fā)光理論進行深入的實驗驗證工作。根據(jù)工作需要,擬招聘研發(fā)人員2名,相關(guān)情況如下:

一、         工作方向:

半導體材料的晶體生長、缺陷分析與表征、半導體器件制備與測試、半導體物理等相關(guān)研發(fā)工作。

二、         崗位

四族硅基高效發(fā)光材料與光源的制備研發(fā)工作

三、         人選要求:

(一)熱愛科研工作,踏實努力,具有責任心和團隊合作精神;該研究方向具有一定挑戰(zhàn)性,需心態(tài)平和且能持之以恒的科研研發(fā)人選;

(二)優(yōu)先招聘能穩(wěn)定長期工作且潛心科研3-5年及以上人員,該崗位不招短期工作人員;

(三)具有如下專業(yè)背景(任一):半導體物理、半導體光電子學、材料物理與化學、材料學、半導體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀本科畢業(yè)生或以上;

(四)優(yōu)先考慮具有如下至少一項研究背景與專長的申請者:

a) 晶體材料的生長技術(shù);

b) 離子注入與退火技術(shù);

c) 半導體材料缺陷測試與表征技術(shù):XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等;

d) 半導體材料的能帶結(jié)構(gòu)分析與光學性能測試表征技術(shù):FTIR、PL等;

(五)優(yōu)先考慮有半導體材料制備、器件工藝、測試表征、超凈間工作經(jīng)驗者。

四、         相關(guān)待遇:

按照中國科學院及半導體研究所的相關(guān)規(guī)定辦理五險一金,薪酬從優(yōu),面談。

五、         應聘方式:

(1)應聘者需提交個人詳細履歷和《崗位應聘申請表》,電子郵件方式發(fā)送至jwluo@semi.ac.cn;

(2)初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試。

六、         聯(lián)系方式:

有意者請將個人簡歷及能夠體現(xiàn)個人能力的相關(guān)資料發(fā)送至:jwluo@semi.ac.cn 。郵件主題中請注明“工程師崗位申請—XX(姓名)”,初選合格者將通知面試,未入選者恕不逐一回復。

 

 

附件列表:

 

 

附件下載>>>> 半導體所崗位應聘申請表.doc

 

來源:http://www.semi.cas.cn/zszp/202407/t20240718_7230501.html

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