人才引進(jìn)工作地區(qū)：北京

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中國(guó)科學(xué)院半導(dǎo)體研究所固態(tài)光電信息技術(shù)研究室H組致力于研究III-V組化合物半導(dǎo)體單晶材料生長(zhǎng)和襯底制備等工作研制高性能紅外光電探測(cè)器及激光器用晶圓材料。根據(jù)工作需要，擬招聘研發(fā)人員1-2名，相關(guān)情況如下：

一、         工作方向：

半導(dǎo)體材料的晶體生長(zhǎng)、化學(xué)腐蝕、表面處理及缺陷分析等相關(guān)研發(fā)工作

二、         崗位

III-V族化合物半導(dǎo)體材料的物理化學(xué)性質(zhì)測(cè)試和相關(guān)工藝技術(shù)的研發(fā)工作

三、         人選要求：

（一）熱愛(ài)科研工作，踏實(shí)努力，具有責(zé)任心和團(tuán)隊(duì)合作精神；

（二）具有如下專業(yè)背景（任一）：半導(dǎo)體物理、材料物理與化學(xué)、材料學(xué)、半導(dǎo)體材料或相近專業(yè)的優(yōu)秀碩士畢業(yè)生或以上，博士?jī)?yōu)先；

（三）優(yōu)先考慮具有如下至少一項(xiàng)研究背景與專長(zhǎng)的申請(qǐng)者：

a)晶體材料生長(zhǎng)技術(shù)：LEC、VGF等熔體法單晶生長(zhǎng)技術(shù)；

b)半導(dǎo)體材料測(cè)試與表征技術(shù)：XRD、TEM、AFM、SIMS、RBS等；

c) 半導(dǎo)體材料化學(xué)腐蝕及表面性質(zhì)研究；

（四）有在相關(guān)領(lǐng)域發(fā)表專業(yè)文章的經(jīng)歷；

（五）研究生優(yōu)先考慮有半導(dǎo)體化學(xué)、工藝制備、測(cè)試表征、超凈間工作經(jīng)驗(yàn)者。

四、         相關(guān)待遇：

      1.   按照中國(guó)科學(xué)院及半導(dǎo)體研究所的相關(guān)規(guī)定辦理五險(xiǎn)一金，薪酬從優(yōu)，面談。

      2.   北京戶口有望進(jìn)入編制。

      3.   業(yè)績(jī)突出者將享有項(xiàng)目績(jī)效。

五、         應(yīng)聘方式：

（1）應(yīng)聘者需提交個(gè)人詳細(xì)履歷 和《崗位應(yīng)聘申請(qǐng)表》，電子郵件方式發(fā)送至shenguiying@semi.ac.cn；

（2）初選合格者將電話或E-mail通知本人參加面試；

六、         聯(lián)系方式：

有意者請(qǐng)將個(gè)人簡(jiǎn)歷及能夠體現(xiàn)個(gè)人能力的相關(guān)資料發(fā)送至: shenguiying@semi.ac.cn 電話：010-82304848

郵件主題中請(qǐng)注明“工程師崗位申請(qǐng)—XX（姓名）”，初選合格者將通知面試，未入選者恕不逐一回復(fù)。

注：團(tuán)隊(duì)歡迎在讀研究生來(lái)所聯(lián)合培養(yǎng)！

來(lái)源：http://www.semi.cas.cn/zszp/202409/t20240904_7332975.html